1961

昭和36年

施設

1号館完成

 

製品関連

トランジスタ生産開始

 

1962

昭和37年

施設

2・3号館完成、八王子事業所半導体技術化発足

八王子工場全景

製品関連

ミリ波管・電子計算器生産開始

各種電子管

1965

昭和40年

製品関連

リードリレー生産開始、IC開発着手

当時のリードリレー

1966

昭和41年

製品関連

リードスイッチ生産開始

 

1967

昭和42年

製品関連

IC生産開始

当時の生産ライン

1968

昭和43年

製品関連

CMOS開発着手

 

1969

昭和44年

施設

4号館完成

 

製品関連

プリント基板生産開始

 

1975

昭和50年

施設

秩父工場操業開始

秩父工場

製品関連

4Kb DRAM生産開始

 

1977

昭和52年

施設

V1棟完成

 

製品関連

マイクロプロセッサ生産開始

 

1979

昭和54年

製品関連

マイクロコンピュータ生産開始

 

1980

昭和55年

施設

管理・技術棟完成（5号館）

 

1981

昭和56年

施設

宮崎沖電気操業開始

宮崎OKI電気M1棟

製品関連

ゲートアレイ、64Kb DRAM（3µm）生産開始

 

1982

昭和57年

技術

米NS社へ技術供与

 

1983

昭和58年

施設

V2棟完成

 

施設

宮崎沖電気M2棟完成

宮崎OKI電気M2棟

1984

昭和59年

施設

沖マイクロデザイン宮崎設立

 

製品関連

256Kb DRAM（2µm）生産開始

 

1985

昭和60年

施設

V3棟完成

 

1987

昭和62年

製品関連

1Mb DRAM（1.2µm）生産開始

 

1988

昭和63年

施設

宮城沖電気操業開始

宮城OKI電気全景

1989

平成元年

施設

4Mb DRAM（0.8µm）生産開始

 

1990

平成2年

施設

オレゴン工場操業開始

オレゴン工場

施設

沖LSIテクノロジ関西設立

 

1991

平成3年

施設

宮崎沖電気M3棟完成

 

1992

平成4年

施設

タイ工場操業開始

オキ タイランド社

施設

U1棟完成

 

製品関連

16Mb DRAM（0.5µm）生産開始

16M DRAM パターン図

1994

平成6年

製品関連

256Mb DRAM（0.25µm）開発成功

 

1995

平成7年

施設

宮城沖電気S2棟完成

 

製品関連

SSDカード生産開始

 

1996

平成8年

施設

新食堂棟完成（6号館）

 

1997

平成9年

施設

新管理・技術棟完成（7号館）

 

製品関連

64Mb DRAM（0.3µm）生産開始

 

製品関連

1Gb DRAM（0.18µm）開発成功

 

1998

平成10年

製品関連

SPAベース事業展開開始

 

製品関連

表面実装光モジュール製品化

 

製品関連

USBコントロールLSI製品化

 

2000

平成12年

製品関連

Bluetooth システムLSI 製品化

 

製品関連

µPLAT開発

 

2002

平成14年

製品関連

完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始

 

2003

平成15年

製品関連

世界初、SOI標準電波時計LSI開発成功

 

2004

平成16年

製品関連

OHK深セン / OSSH北京 / OSTS設立

 

2005

平成17年

施設

半導体事業グループ創設

 

2007

平成19年

施設

シリコンマイクロデバイスカンパニー創設

 

2008

平成20年

施設

OKIセミコンダクタ株式会社設立

 

2011

平成23年

施設

ラピスセミコンダクタ株式会社に社名変更

 

2013

平成25年

施設

新横浜に本社を移転

新横浜本社

2015

平成27年

製品関連

IoTリファレンスデザインLazuriteシリーズ製品化

Lazurite

製品関連

土壌環境センサを開発

土壌環境センサ

2017

平成29年

製品関連

低消費電力広域通信 LPWA用LSI 製品化 (LPWA : Low Power Wide Area)

 

2020

令和2年

施設

ラピスセミコンダクタ株式会社からLSI事業部門を新設分割
ラピステクノロジー株式会社設立

ラピステクノロジーロゴ