FeRAM

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Parallel BUS FeRAM

	データシート	メモリ容量 (bit)	メモリ構成 (word×bit)	電源電圧 (V)	動作速度	リードライト耐性	データ保障期間 (年)	動作温度 (°C)	PKG	ハロゲンフリー対応^*1	車載対応^*2	ネット商社在庫

*1 : ハロゲンフリー対応印 : ハロゲンフリー対応品をご用意しています。詳細は担当営業にお問い合わせください。
*2 : AEC-Q100に関しては、担当営業にお問い合わせください。

I²C BUS FeRAM

詳細データはパラメトリック検索

	データシート	メモリ容量 (bit)	メモリ構成 (word×bit)	電源電圧 (V)	動作速度	リードライト耐性	データ保障期間 (年)	動作温度 (°C)	PKG	ハロゲンフリー対応^*1	車載対応^*2	ネット商社在庫

*1 : ハロゲンフリー対応印 : ハロゲンフリー対応品をご用意しています。詳細は担当営業にお問い合わせください。
*2 : AEC-Q100に関しては、担当営業にお問い合わせください。

SPI BUS FeRAM

詳細データはパラメトリック検索

	データシート	メモリ容量 (bit)	メモリ構成 (word×bit)	電源電圧 (V)	動作速度	リードライト耐性	データ保障期間 (年)	動作温度 (°C)	PKG	ハロゲンフリー対応^*1	車載対応^*2	ネット商社在庫

*1 : ハロゲンフリー対応印 : ハロゲンフリー対応品をご用意しています。詳細は担当営業にお問い合わせください。
*2 : AEC-Q100に関しては、担当営業にお問い合わせください。

概要

ラピステクノロジーのメモリ設計技術とロームの長年にわたる製造技術とのコラボレーションにより誕生！

FeRAMは、強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセス技術により開発された32Kbit ～ 2Mbit構成の強誘電体ランダムアクセスメモリです。
電池によるバックアップ不要、高速ランダムリードライト、高書き換え耐性 (10兆回耐性保証)、さらに低消費電力で、さまざまなアプリケーションへの応用が可能です。
ラピステクノロジーのFeRAMは、ロームグループ内での一貫生産により高品質かつ安定した供給をお約束します。

製品特長

特長1圧倒的な書き換え耐性、Flashの1000万倍: FeRAM (10兆回) はFlash (10～100万回) と比べ、1000万倍の圧倒的書き換え耐性を特長としています。
さらに連続的なデータの更新が可能なため、更新不足によるマイコンでの書き込みアドレスマネージメントが不要です。
特長2高速書き換え、Flashの10万倍: FeRAMはFlashと比べ、書き換え速度においても優位。
FeRAMは消去動作不要、プログラム書き込み動作不要なので、1byte書き換えにおいて、Flash (700ms)に比べ、FeRAM (150ns)は約10万倍高速に書き換えを行うことが可能です。
特長3低消費電力、Flashの1/100以下: 消去動作不要、プログラム書き込み動作不要のFeRAMは消費電力においても優位。
FeRAMは消去動作不要、プログラム書き込み動作不要なので、Flash (35mW) に比べ、FeRAM (0.2mW) は1/100以下の電力で書き換えを行います。
電源遮断時データ退避での自己消費が小さく、電源低下速度が遅くなり、退避時間も確保が可能です。
特長4ECC機能搭載で高信頼性: 全てのFeRAM製品にECC（ Error Check and Correction=誤り訂正）機能を搭載。
メモリにデータ領域と訂正符号データ領域を備えます。
対となるデータ群と訂正符号データ群を読み出し、仮にビット誤りが発生してもECC回路により、エラー訂正したデータを出力します。
特長5高信頼性Cu (銅フレーム): 車載製品で求められる、接続信頼性を確保するには、銅リードフレームが必需です。
Cuリードフレーム対応品もラインアップ。